Datasheet > IXFT15N100Q3-TRL

IXFT15N100Q3-TRL

更新时间： 2024-11-18 18:59:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	128K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFT15N100Q3-TRL 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.72
Base Number Matches：	1

IXFT15N100Q3-TRL 数据手册

Advance Technical Information

HiperFET^TM

Power MOSFETs

Q3-Class

V_DSS= 1000V

I_D25= 15A

IXFT15N100Q3

IXFH15N100Q3

R_DS(on)≤ 1.05Ω

t_rr

≤ 250ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXFT)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1000

TO-247 (IXFH)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

T_C= 25°C

7.5

1.0

E_AS

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

690

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

Low Intrinsic Gate Resistance

International Standard Packages

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 seconds

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Low R_DS(on)and Q_G

Weight

TO-268

TO-247

4.0

6.0

Advantages

High Power Density

Easy to Mount

Space Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

3.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 1mA

V_DS= V_GS, I_D= 4mA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

6.5

DC-DC Converters

Battery Chargers

Switch-Mode and Resonant-Mode

±100 nA

I_DSS

25 μA

Power Supplies

DC Choppers

Temperature and Lighting Controls

T_J= 125°C

1.5 mA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

1.05

DS100353(06/11)

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与IXFT15N100Q3-TRL相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT15N80Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT15N80Q	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT16N120P	IXYS	获取价格	Polar Power MOSFET HiPerFET
IXFT16N120P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT16N120PHV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXFT16N120PHV	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT16N80P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET
IXFT16N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT16N90Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT170N15X3HV	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘