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IXFT21N50

更新时间： 2024-01-12 19:22:20

品牌	Logo	应用领域
IXYS		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	162K
描述
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXFT21N50 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	21 A
最大漏源导通电阻：	0.25 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	84 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT21N50 数据手册

V_DSSI_D25R_DS(on)

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

IXFH/IXFM21N50

IXFH/IXFM/IXFT24N50

IXFH/IXFT26N50

500 V 21 A 0.25 Ω

500 V 24 A 0.23 Ω

500 V 26 A 0.20 Ω

N-ChannelEnhancementMode

Highdv/dt, Lowt_rr, HDMOS^TMFamily

t ≤ 250 ns

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

500

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

TO-268 (D3) Case Style

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

21N50

24N50

26N50

21N50

24N50

26N50

21N50

24N50

26N50

104

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

(TAB)

TO-204 AE (IXFM)

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate,

D = Drain,

S = Source,

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

300

Features

• International standard packages

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

• Low R

HDMOS^TMprocess

-55 ... +150

• Rugge^Dd^{S (}p^ono⁾lysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

• Low package inductance

- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic Rectifier

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Applications

• DC-DC converters

• Synchronous rectification

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode

power supplies

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

• DC choppers

• AC motor control

• Temperature and lighting controls

• Low voltage relays

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

500

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

200 µA

• Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

• High power surface mountable package

• High power density

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

91525H (9/99)

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