Datasheet > IXFT23N60Q

IXFT23N60Q

更新时间： 2024-02-17 10:51:57

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
4页	580K
描述
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFT23N60Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.71
雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	92 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT23N60Q 数据手册

HiPerFET^TM

PowerMOSFETs

Q-Class

IXFH 23N60Q

IXFT 23N60Q

V_DSS

I_D25

= 600 V

23 A

R_DS(on)= 0.32 Ω

t_rr≤ 250ns

N-ChannelEnhancementMode

Avalanche Rated, High dv/dt,

Low Gate Charge and Capacitances

Preliminary Data Sheet

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247AD(IXFH)

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

600

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (IXFT) Case Style

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

(TAB)

P_D

T_C= 25°C

400

G = Gate

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source

Features

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

IXYS advanced low gate charge

process

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247AD

TO-268

International standard packages

Low gate charge and capacitance

- easier to drive

- faster switching

Low R_{DS (on)}

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Unclamped Inductive Switching (UIS)

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

rated

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V_DC, V_DS= 0

600

Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

2.0

4.5

100 nA

Advantages

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

25 µA

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.32

Ω

High power density

DS99055(06/03)

12 3 4

下载PDF

与IXFT23N60Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFT23N80Q	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class	获取价格
IXFT240N15X3HV	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXFT24N50	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs	获取价格
IXFT24N50	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格
IXFT24N50Q	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs	获取价格
IXFT24N50Q	LITTELFUSE	功能与特色: 应用: 优点:	获取价格