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IXFT16N80P

更新时间： 2024-01-19 16:37:12

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
5页	201K
描述
PolarHV Power MOSFET

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IXFT16N80P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	16 A	最大漏源导通电阻：	0.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT16N80P 数据手册

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PolarHV^TM

Power MOSFET

IXFH 16N80P

IXFT 16N80P

IXFV 16N80P

IXFV 16N80PS

V_DSS= 800

I_D25= 16

V

A

R_DS(on)≤ 600 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Fast Recovery Diode

t_rr

≤ 250 ns

Avalanche Rated

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

800

V

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V

G

D

S

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

V

V

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

16

40

A

A

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C

T_C= 25°C

8

30

A

mJ

J

G

S

D (TAB)

E_AR

E_AS

1.0

PLUS220 (IXFV)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

10

V/ns

P_D

T_C= 25°C

460

W

G

D

S

D (TAB)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

°C

°C

PLUS220SMD (IXFV...S)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

° C

° C

M_d

Mounting torque (TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

11..65/2.5..15

N/lb

G

S

D (TAB)

D = Drain

TAB = Drain

Weight

TO-247

TO-268

PLUS220 & PLUS220SMD

6.0

5.0

4.0

g

g

g

G = Gate

S = Source

Features

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zFast Recovery diode

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zInternational standard packages

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

V

V

3.0

5.0

100

nA

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25

250

μA

μA

Advantages

z

T_J= 125°C

Easy to mount

Space savings

z

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

600 mΩ

z

High power density

DS99599E(07/06)

© 2006 IXYS All rights reserved

12 3 4 5

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与IXFT16N80P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXFT16N90Q	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class	获取价格
IXFT170N15X3HV	LITTELFUSE	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘	获取价格
IXFT17N80Q	IXYS	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class	获取价格
IXFT180N20X3HV	IXYS	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXFT180N20X3HV	LITTELFUSE	Power Field-Effect Transistor,	获取价格
IXFT18N100Q3	IXYS	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class	获取价格

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