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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.47 | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 23 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-268AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 92 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFT24N80P | IXYS |
类似代替  |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH24N80P | IXYS |
功能相似 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFH23N80Q | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT240N15X3HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT24N50 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT24N50 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT24N50Q | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXFT24N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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| IXFT24N80P | IXYS |
获取价格 |
PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFT24N80P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT24N90P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
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| IXFT24N90P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT26N100XHV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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