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IXFT14N80P

更新时间： 2024-11-19 14:56:47

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力特 - LITTELFUSE		局域网开关晶体管
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IXFT14N80P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.76	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	800 V
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.72 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT14N80P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

IXFH 14N80P

IXFQ 14N80P

IXFT 14N80P

IXFV 14N80P

IXFV 14N80PS

V_DSS= 800 V

I_D25= 14 A

R_DS(on)≤ 720 mΩ

t_rr≤ 250 ms

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

800

TO-3P (IXFQ)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

500

TO-268 (IXFT)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C= 25°C

400

PLUS220 (IXFV)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

PLUS220SMD (IXFV...S)

M_d

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

PLUS220, PLUS220 SMD

TO-268, TO-3P

TO-247

5.5

D (TAB)

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Features

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= 30 V, V_DS= 0 V

800

3.0

5.5

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

Advantages

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

720 mΩ

Easy to mount

Space savings

High power density

DS99593E(07/06)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT150N17T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT150N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFT150N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXFT150N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
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IXFT150N25X3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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IXFT15N100Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class

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