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IXFT14N100Q

更新时间： 2024-11-18 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	145K
描述
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN

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IXFT14N100Q 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (ID)：	14 A	最大漏源导通电阻：	0.75 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	56 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT14N100Q 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

Q-Class

IXFH 14N100Q

IXFK 14N100Q

IXFT 14N100Q

V_DSS

I_D25

= 1000 V

14 A

R_DS(on)= 0.75 Ω

t ≤ 250 ns

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheRated, LowQ_g,Highdv/dt

Preliminarydatasheet

TO-247 AD (IXFH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

1000

(TAB)

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (D3) ( IXFT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

V/ns

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

TO-264 AA (IXFK)

P_D

T_C= 25°C

360

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_L

1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

G = Gate

S = Source

M_d

TO-247

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

0.9/6 Nm/lb.in.

TAB = Drain

Weight

Symbol

TO-247

TO-268

TO-264

Features

IXYS advanced low Q_gprocess

International standard packages

Epoxy meet UL 94 V-0, flammability

classification

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Low R_{DS (on)}low Q_g

Avalanche energy and current rated

Fast intrinsic rectifier

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

1000

3.0

V_GS(th)

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

5.0

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±200 nA

50 µA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Easy to mount

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

0.75

Ω

Space savings

High power density

98858 (9/01)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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