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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | PLASTIC, TO-268, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.84 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 1500 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.75 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | PURE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT14N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFT14N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT150N17T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFT150N17T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFT150N20T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier |
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| IXFT150N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFT150N25X3HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT150N25X3HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT150N30X3HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT15N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
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