Datasheet > IXFT150N17T2

IXFT150N17T2

更新时间： 2024-02-02 19:35:51

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	180K
描述
TrenchT2 HiperFET Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFT150N17T2 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	PLASTIC, TO-268, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.75
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	175 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	150 A
最大漏极电流 (ID)：	150 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	880 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	400 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXFT150N17T2 数据手册

Advance Technical Information

TrenchT2^TMHiperFET^TM

Power MOSFET

V_DSS= 175V

I_D25= 150A

R_DS(on)≤ 12.0mΩ

≤ 160ns

IXFH150N17T2

IXFT150N17T2

t_rr

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-247 (IXFH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

175

D (Tab)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 20

± 30

TO-268 (IXFT)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

150

400

I_A

E_AS

T_C= 25°C

1.0

D (Tab)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

880

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +175

°C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zHigh Current Handling Capability

^zFast Intrinsic Diode

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zDynamaic dv/dt Rated

^zAvalanche Rated

Weight

TO-247

TO-268

Low R_DS(on)

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

175

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 1mA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.5

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

± 200 nA

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

I_DSS

10 μA

T_J= 150°C

1.5 mA

^zDC Choppers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

9.7

12.0 mΩ

^zAC Motor Drives

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS100229(01/10)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXFT150N17T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT150N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXFT150N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFT150N25X3HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT150N25X3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT150N30X3HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXFT15N100	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 应用: 优点:
IXFT15N100Q	IXYS	获取价格	HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFT15N100Q3	IXYS	获取价格	HiperFETTM Power MOSFETs Q3-Class
IXFT15N100Q3	LITTELFUSE	获取价格	Q3级系列功率MOSFET为最终用户提供具有一流功率开关性能、出色热特性、强大器件耐用性和
IXFT15N100Q3-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXFT150N17T2相关文章

REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

48
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
2024-07-30

100
RT9172资料手册解读：关节特性、引脚信息、参数说明
2024-07-30

87
一文带你了解SM8760CA资料：主要参数特征
2024-07-30

87

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFT150N17T2

IXFT150N17T2 技术参数

IXFT150N17T2 数据手册

与IXFT150N17T2相关器件

与IXFT150N17T2相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFT150N17T2

IXFT150N17T2 技术参数

IXFT150N17T2 数据手册

与IXFT150N17T2相关器件

与IXFT150N17T2相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？