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IXFT150N20T

更新时间： 2023-12-06 20:13:03
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 栅
页数 文件大小 规格书
7页 208K
描述
沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低的功率耗损。 再结合广泛的工作结温范围（从-40 °C到175 °C），这些产品非常适合汽车应用以及其他处

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Advance Technical Information  
TrenchTM HiperFETTM  
Power MOSFETs  
VDSS = 200V  
ID25 = 150A  
RDS(on) ≤ 15mΩ  
IXFT150N20T  
IXFH150N20T  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-268 (IXFT)  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C, RGS = 1MΩ  
200  
200  
V
V
VDGR  
TO-247 (IXFH)  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
150  
375  
A
A
G
D
D (Tab)  
S
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
75  
1.5  
A
J
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
PD  
TC = 25°C  
890  
20  
W
Tab = Drain  
dv/dt  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C  
V/ns  
TJ  
-55 to +150  
+150  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 to +150  
TL  
1.6mm (0.063in) from Case for 10s  
Plastic Body for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
z
International Standard Packages  
Avalanche Rated  
High Current Handling Capability  
Fast Intrinsic Rectifier  
Low RDS(on)  
z
z
z
z
TSOLD  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-268  
TO-247  
4
6
g
g
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
200  
3.0  
Typ.  
Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 4mA  
VGS = ±20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
5.0  
Applications  
±200 nA  
z
DC-DC Converters  
Battery Chargers  
Switch-Mode and Resonant-Mode  
IDSS  
25 μA  
z
TJ = 125°C  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
1.5 mA  
z
RDS(on)  
15 mΩ  
Power Supplies  
DC Choppers  
AC Motor Drives  
Uninterruptible Power Supplies  
z
z
z
z
High Speed Power Switching  
Applications  
© 2011 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100426(12/11)  
1234567

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