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CM200TU-12H

更新时间： 2025-07-09 22:08:23
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 晶体开关晶体管电动机控制栅局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
4页 54K
描述
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

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CM200TU-12H 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Not Recommended包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X17
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.19
Is Samacsys：N外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：200 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X17元件数量：6
端子数量：17最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：650 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：3 VBase Number Matches：1

CM200TU-12H 数据手册

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MITSUBISHI IGBT MODULES  
CM200TU-12H  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
A
B
F
R (4 - Mounting  
Holes)  
G
G
E
E
H
E
H
S
K
L
GuP  
EuP  
GvP  
EvP  
GwP  
EwP  
T
D
C
Measured  
Point  
GwN  
EwN  
C
M
GuN  
EuN  
T
GvN  
EvN  
C
Measured  
Point  
Description:  
u
v
w
Mitsubishi IGBT Modules are de-  
signed for use in switching applica-  
tions. Each module consists of six  
IGBTs in a three phase bridge  
configuration, with each transistor  
having a reverse-connected super-  
fast recovery free-wheel diode. All  
components and interconnects are  
isolated from the heat sinking  
baseplate, offering simplified sys-  
tem assembly and thermal man-  
agement.  
N
K
E
H
J
E
H
E
5 - M5 NUTS  
J
TAB#110 t=0.5  
P
Q
P
Features:  
ٗ Low Drive Power  
GuP  
GvP  
GwP  
ٗ Low V  
CE(sat)  
EuP  
U
EvP  
V
EwP  
W
ٗ Discrete Super-Fast Recovery  
Free-Wheel Diode  
ٗ High Frequency Operation  
ٗ Isolated Baseplate for Easy  
Heat Sinking  
GuN  
GvN  
EvN  
GwN  
EwN  
Applications:  
EuN  
N
ٗ AC Motor Control  
ٗ Motion/Servo Control  
ٗ UPS  
Outline Drawing and Circuit Diagram  
ٗ Welding Power Supplies  
Dimensions  
Inches  
4.21  
Millimeters  
Dimensions  
Inches  
0.15  
Millimeters  
3.75  
17.0  
Ordering Information:  
A
B
C
D
E
F
107.0  
90.0±0.25  
102.0  
80.0±0.25  
11.0  
K
L
Example: Select the complete  
module number you desire from  
the table - i.e. CM200TU-12H is a  
3.54±0.01  
4.02  
0.67  
M
N
P
Q
R
S
1.91  
48.5  
0.8  
3.15±0.01  
0.43  
0.03  
600V (V  
), 200 Ampere Six-  
CES  
0.32  
8.1  
IGBT Module.  
0.91  
23.0  
1.02  
26.0  
5.5 Dia.  
14.4  
Current Rating  
V
CES  
G
H
J
0.47  
12.0  
0.22 Dia.  
0.57  
Type  
CM  
Amperes  
Volts (x 50)  
0.85  
21.7  
200  
12  
0.91  
23.0  
Sep.1998  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CM200TU-12H_09 MITSUBISHI

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