IXFT13N90

更新时间： 2024-02-26 02:39:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	88K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFT13N90 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT13N90 数据手册

HiPerFET^TM

Power MOSFETs

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

IXFH/IXFM10N90

IXFH/IXFM12N90

IXFH13N90

900V 10 A 1.1 W

900V 12 A 0.9 W

900V 13 A 0.8 W

N-Channel Enhancement Mode

High dv/dt, Low t_rr, HDMOS^TMFamily

t_rr£ 250 ns

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MW

900

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

10N90

12N90

13N90

10N90

12N90

13N90

10N90

12N90

13N90

TO-204 AA (IXFM)

T_C= 25°C,

pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

E_AR

T_C= 25°C

dv/dt

I_S£ I_DM, di/dt £ 100 A/ms, V_DD£ V_DSS

T_J£ 150°C, R_G= 2 W

V/ns

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

300

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mountingtorque

300

°C

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Fast intrinsic Rectifier

Weight

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

Applications

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

DC-DC converters

Synchronousrectification

Battery chargers

Switched-modeandresonant-mode

min. typ. max.

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 3 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

900

2.0

powersupplies

DC choppers

AC motor control

Temperatureandlightingcontrols

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

25 mA

Low voltage relays

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 • I_D25

10N90

12N90

13N90

1.1

0.9

0.8

(isolatedmountingscrewhole)

Space savings

High power density

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91530G(3/98)

1 - 4

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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