IXFT13N90

更新时间： 2024-02-21 19:51:44

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
4页	88K
描述
HiPerFET Power MOSFETs

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IXFT13N90 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (ID)：	13 A
最大漏源导通电阻：	0.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT13N90 数据手册

IXFH 10N90 IXFH 12N90 IXFH 13N90

IXFM 10N90 IXFM 12N90

Symbol

g_fs

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

TO-247 AD (IXFH) Outline

V_DS= 10 V; I_D= 0.5 • I_D25, pulse test

C_iss

C_oss

C_rss

4200

315

V_GS= 0 V, V_DS= 25 V, f = 1 MHz

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

R_G= 2 W (External)

51 100

18 50

Q_g(on)

Q_gs

123 155

Dim. Millimeter

Inches

Min. Max. Min. Max.

V_GS= 10 V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

19.81 20.32 0.780 0.800

20.80 21.46 0.819 0.845

Q_gd

15.75 16.26 0.610 0.640

3.55 3.65 0.140 0.144

R_thJC

R_thCK

0.42 K/W

K/W

4.32 5.49 0.170 0.216

0.25

5.4

6.2 0.212 0.244

1.65 2.13 0.065 0.084

4.5

0.177

1.0

1.4 0.040 0.055

Source-DrainDiode

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

10.8 11.0 0.426 0.433

4.7

0.4

5.3 0.185 0.209

0.8 0.016 0.031

Symbol

I_S

TestConditions

1.5 2.49 0.087 0.102

V_GS= 0 V

10N90

12N90

13N90

TO-204 AA (IXFM) Outline

I_SM

Repetitive;

pulse width limited by T_JM

10N90

12N90

13N90

V_SD

I_F= I_S, V_GS= 0 V,

1.5

Pulse test, t £ 300 ms, duty cycle d £ 2 %

t_rr

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250 ns

400 ns

I_F= I_S

-di/dt = 100 A/ms,

V_R= 100 V

Q_RM

T_J= 25°C

T_J= 125°C

I_RM

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Dim.

Millimeter

Inches

Min. Max.

38.61 39.12 1.520 1.540

19.43 19.94 0.785

6.40 9.14 0.252 0.360

0.97 1.09 0.038 0.043

1.53 2.92 0.060 0.115

30.15 BSC 1.187 BSC

10.67 11.17 0.420 0.440

5.21 5.71 0.205 0.225

16.64 17.14 0.655 0.675

11.18 12.19 0.440 0.480

3.84 4.19 0.151 0.165

25.16 25.90 0.991 1.020

IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:

2 - 4

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

123 4

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