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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFT14N100Q | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXFT14N80P | IXYS |
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PolarHV HiPerFET Power MOSFET |
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| IXFT14N80P | LITTELFUSE |
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功能与特色: 优点: 应用: |
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| IXFT150N17T2 | IXYS |
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TrenchT2 HiperFET Power MOSFET |
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| IXFT150N17T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXFT150N20T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier |
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| IXFT150N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低 |
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| IXFT150N25X3HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT150N25X3HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXFT150N30X3HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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