Datasheet > IXFT140N10P

IXFT140N10P

更新时间： 2023-12-06 20:13:09

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	245K
描述
功能与特色: 优点: 应用:

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXFT140N10P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.46	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	140 A	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXFT140N10P 数据手册

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFETs

IXFH 140N10P

IXFT 140N10P

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

= 100 V

= 140 A

≤ 11 mΩ

≤ 150 ns

N-Channel Enhancement Mode

Fast Intrinsic Diode

t_rr

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXFH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

T_C=25° C

140

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

300

TO-268 (IXFT)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

2.5

D (TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C=25° C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10s

300

260

°C

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

6.0

5.0

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 4.0 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 175° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

V_GS= 15 V, I_D= 300 A

Note 1

11 mΩ

mΩ

DS99213E(01/06)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXFT140N10P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXFT140N20X3HV	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXFT14N100	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 1KV V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-268
IXFT14N100Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFT14N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT14N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT150N17T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
IXFT150N17T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXFT150N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXFT150N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFT150N25X3HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXFT140N10P相关文章

REF03GPZ资料解读：主要特征、技术参数、应用场景
2024-08-05

48
一文带你了解DS28E40主要特征、安全特性、应用场景
2024-07-30

100
RT9172资料手册解读：关节特性、引脚信息、参数说明
2024-07-30

86
一文带你了解SM8760CA资料：主要参数特征
2024-07-30

87

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFT140N10P

IXFT140N10P 技术参数

IXFT140N10P 数据手册

与IXFT140N10P相关器件

与IXFT140N10P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXFT140N10P

IXFT140N10P 技术参数

IXFT140N10P 数据手册

与IXFT140N10P相关器件

与IXFT140N10P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？