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IXFT140N10P

更新时间： 2024-02-02 19:31:22

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描述
PolarHV HiPerFET Power MOSFETs

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IXFT140N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-268AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.3
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	140 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXFT140N10P 数据手册

Advance Technical Information

IXFH 140N10P

IXFT 140N10P

V_DSS= 100 V

PolarHV^TMHiPerFET

Power MOSFETs

I_D25

= 140 A

R_DS(on)

11 mΩ

N-ChannelEnhancementMode

FastIntrinsicDiode;AvalancheRated

TO-247(IXFT)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C; R_GS= 1 MΩ

100

D (TAB)

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

140

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

300

TO-268(IXFT)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

2.5

D (TAB)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_C= 25°C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

Features

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-268

6.0

5.0

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 4.0 mA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

μA

T_J= 175°C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

V_GS= 15 V, I_D= 300 A

11 mΩ

mΩ

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99213(02/04)

12 3 4 5

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IXFT140N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH140N10P	IXYS	完全替代	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
IXTQ140N10P	IXYS	功能相似	PolarHT⑩ Power MOSFET
IXTT140N10P	IXYS	功能相似	PolarHT⑩ Power MOSFET

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXFT14N100Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXFT14N80P	IXYS	获取价格	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFT14N80P	LITTELFUSE	获取价格	功能与特色: 优点: 应用:
IXFT150N17T2	IXYS	获取价格	TrenchT2 HiperFET Power MOSFET
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IXFT150N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXFT150N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXFT150N25X3HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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