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IXTT140N10P

更新时间： 2024-11-18 03:13:39

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IXYS		晶体晶体管开关脉冲局域网
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5页	170K
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PolarHT⑩ Power MOSFET

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IXTT140N10P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.52
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	140 A
最大漏极电流 (ID)：	140 A	最大漏源导通电阻：	0.011 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	600 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTT140N10P 数据手册

IXTQ 140N10P

IXTT 140N10P

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

≤

100 V

140 A

11 mΩ

PolarHT^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-3P (IXTQ)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

100

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

T_C=25° C

140

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

(TAB)

300

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

TO-268 (IXTT)

2.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Features

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Advantages

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

100

3.0

5.0

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

500

µA

T_J= 175° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

V_GS= 15 V, I_D= 300 A

11 mΩ

mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99133E(12/05)

12 3 4 5

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IXTT140N10P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH140N10P	IXYS	完全替代	PolarHV HiPerFET Power MOSFETs
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT140P10T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT16N10D2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT16N20D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTT16N20D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTT16N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTT16P60P	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information PolarPTM Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode
IXTT16P60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTT170N10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 100V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTT170N10P	IXYS	获取价格	PolarTM Power MOSFET
IXTT170N10P-TR	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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