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IXTT240N15X4HV

更新时间： 2024-11-05 14:51:43

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力特 - LITTELFUSE		/
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7页	337K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTT240N15X4HV 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

IXTT240N15X4HV 数据手册

Advance Technical Information

X4-Class

V_DSS= 150V

I_D25= 240A

R_DS(on) 4.4m

IXTT240N15X4HV

IXTH240N15X4

Power MOSFET^TM

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268HV (IXTT..HV)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

150

D (Tab)

V_DGR

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

TO-247 (IXTH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

20

30

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25C

External Lead Current Limit

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

240

160

420

D (Tab)

D = Drain

I_A

T_C= 25C

120

1.2

E_AS

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

940

T_J

-55 ... +175

175

C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low R_DS(ON)and Q_G

Avalanche Rated



M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Low Package Inductance

Weight

TO-268HV

TO-247

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

150

Applications

2.5

4.5



Switch-Mode and Resonant-Mode

100 nA

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives



I_DSS

25 A

1.5 mA



T_J= 150C



Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

3.6

4.4 m

DS100908A(6/18)

12 3 4 5 6 7

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与IXTT240N15X4HV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT24N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT24N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT24P20	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTT24P20	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTT26N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT28N50Q	INFINEON	获取价格	Power MOSFETs Q-Class
IXTT2N170D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电

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