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IXTT20N50D

更新时间： 2024-11-05 20:59:03

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	135K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN

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IXTT20N50D 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.37	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.33 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	400 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	50 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT20N50D 数据手册

V_DSX= 500V

I_D25= 20A

R_DS(on)≤ 330mΩ

High Voltage MOSFET

IXTH20N50D

IXTT20N50D

N-Channel, Depletion Mode

TO-268 (IXTT)

D (TAB)

Symbol

V_DSX

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

500

TO-247 (IXTH)

V_DGX

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSX

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D (TAB)

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

G = Gate

S = Source

= Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-268

TO-247

• Normally ON Mode

• International Standard Packages

• Molding Epoxies Meet UL 94 V-0

Flammability Classification

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

• Easy to Mount

• Space Savings

• High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

-1.5

Typ.

Max.

BV_DSX

V_GS(off)

I_GSS

V_GS= -10V, I_D= 250μA

V_DS= 25V, I_D= 250μA

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSX, V_GS= -10V

- 3.5

±100 nA

Applications

I_DSS

25 μA

500 μA

• Level Shifting

• Triggers

T_J= 125°C

• Solid State Relays

• Current Regulators

• Active Load

R_DS(on)

I_D(on)

V_GS= 10V, I_D= 10A, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= 25V, Note 1

330 mΩ

2.3

DS99192B(5/09)

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT20P50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT20P50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTT21N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT21N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT22N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT240N15X4HV	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT24N50Q	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT24N50Q	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT24P20	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTT24P20	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2

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