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力特 - LITTELFUSE | 开关 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 169K | |
描述 | ||
这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正向偏压安全工作区(RBSOA)。 当功率MOSFET以线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT30N60P | IXYS |
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PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTT30N60P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTT360N055T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 360A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IXTT360N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值,并可提供高达600安培的高电流性能 | |
IXTT36N50P | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode | |
IXTT36N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTT38N30L2HV | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTT3N200P3HV | LITTELFUSE |
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Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路 | |
IXTT40N50L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT40N50L2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |