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IXTT30N50L

更新时间： 2024-11-06 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关
页数	文件大小	规格书
6页	170K
描述
当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是因为同时发生高漏极电压和电流；这些极端应力会造成普通设备出现故障。 IXYS Linear MOSFET旨

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IXTT30N50L 数据手册

Preliminary Technical Information

IXTH30N50L

IXTQ30N50L

IXTT30N50L

V_DSS= 500V

I_D25= 30A

R_DS(on)≤ 0.20Ω

Power MOSFET with

Extended FBSOA

N-Channel Enhancement Mode

_OD

TO-247 (IXTH)

R_Gi

(TAB)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

TO-3P (IXTQ)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

(TAB)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

1.5

P_D

T_C= 25°C

400

T_J

-55 to +150

°C

(TAB)

T_JM

T_stg

+150

-55 to +150

T_L

1.6mm (0.063in) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

G = Gate

S = Source TAB = Drain

= Drain

T_SOLD

M_d

Mounting torque (TO-247, TO-3P)

1.13/10

Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-3P

TO-268

6.0

5.5

5.0

Features

^zDesigned for linear operation

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching

(UIS) rated.

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

^zMolding epoxies meet UL 94 V-0

flammability classification

^zIntegrated gate resistor for easy

paralleling

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

500

2.5

^zGuaranteed FBSOA at 75°C

4.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±30V, V_DS= 0V

±100 nA

Applications

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

50 μA

300 μA

^zSolid state circuit breakers

^zSoft start controls

^zLinear amplifiers

^zProgrammable loads

^zCurrent regulators

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

0.20

DS99786(10/07)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT30N50L2	IXYS	获取价格	Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode
IXTT30N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT30N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT30N60L2	IXYS	获取价格	Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA
IXTT30N60L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT30N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT30N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT360N055T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 360A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTT360N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTT36N50P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode

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