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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-268AA |
| 包装说明： | TO-268, 3 PIN | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 4.47 | Samacsys Description： | MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2500 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 20 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 20 A | 最大漏源导通电阻： | 0.45 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 460 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXTH20P50P | IXYS |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 500V, 0.45ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTT21N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTT21N50Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IXTT22N60P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.33ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT240N15X4HV | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IXTT24N50Q | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT24N50Q | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 500V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT24P20 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT24P20 | LITTELFUSE |
获取价格 |
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2 |
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| IXTT26N50P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IXTT26N50P | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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