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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.34 |
| 其他特性： | AVALANCE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 2000 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 40 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 40 A | 最大漏源导通电阻： | 0.17 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-268AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 540 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTT40N50L2-TRL | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT440N04T4HV | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| IXTT440N04T4HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT440N055T2 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode |
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| IXTT440N055T2 | LITTELFUSE |
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这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能 |
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| IXTT44N25L2HV | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTT48P20P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me |
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| IXTT48P20P | LITTELFUSE |
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Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻( |
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| IXTT4N150HV | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTT500N04T2 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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