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IXTT6N120

更新时间： 2024-11-18 11:08:11

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IXYS		高压
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4页	590K
描述
High Voltage Power MOSFET

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IXTT6N120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	500 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1200 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	2.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTT6N120 数据手册

IXTH 6N120

IXTT 6N120

V_DSS

I_D25

= 1200 V

6 A

High Voltage

Power MOSFET

R_DS(on)= 2.6 Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

PreliminaryDataSheet

TO-247AD(IXTH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

1200

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

T_C= 25°C

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

TO-268 (IXTT) Case Style

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

500

(TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque

300

°C

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247AD

TO-268

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

1200

2.5

Max.

Easy to mount

Space savings

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= V_DSS

5.0

High power density

100

I_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

500

µA

_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

R_DS(on)

2.6

Ω

DS99024B(01/04)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH6N120	IXYS	完全替代	High Voltage Power MOSFET
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT6N120-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT6N150	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTT6N150	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTT74N20P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT74N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT75N10	IXYS	获取价格	MegaMOS FET
IXTT75N10L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT75N15	IXYS	获取价格	High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
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