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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 166K | |
描述 | ||
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台,以实现低导通电阻(Rdson)。 Polar标准MOS |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT60N10 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT60N10 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT60N20L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTT60N25 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
IXTT64N25P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTT64N25P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTT68P20T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用,这些应用可采用简单的接地参考驱 | |
IXTT69N30P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET | |
IXTT69N30P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTT6N120 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET |