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IXTT6N150

更新时间: 2024-11-06 14:56:47
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力特 - LITTELFUSE 开关高压脉冲电源开关调节器
页数 文件大小 规格书
7页 323K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。 功能与特色: 应用: 优点:

IXTT6N150 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
Base Number Matches:1

IXTT6N150 数据手册

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High Voltage  
Power MOSFET  
VDSS = 1500V  
ID25 = 6A  
RDS(on) 3.5  
IXTT6N150  
IXTH6N150  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Diode  
TO-268  
(IXTT)  
G
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
S
TJ = 25C to 150C  
TJ = 25C to 150C, RGS = 1M  
1500  
1500  
V
V
D (Tab)  
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
20  
30  
V
V
TO-247  
(IXTH)  
ID25  
IDM  
TC = 25C  
TC = 25C, Pulse Width Limited by TJM  
6
A
A
24  
IA  
EAS  
TC = 25C  
TC = 25C  
3
500  
A
mJ  
G
D
D (Tab)  
S
dv/dt  
PD  
IS IDM, VDD VDSS, TJ 150C  
TC = 25C  
5
V/ns  
W
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
540  
Tab = Drain  
TJ  
TJM  
Tstg  
- 55 ... +150  
150  
- 55 ... +150  
C  
C  
C  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Features  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
International Standard Packages  
Molding Epoxies Weet UL 94 V-0  
Flammability Classification  
Fast Intrinsic Diode  
Weight  
TO-268  
TO-247  
4
6
g
g
Low Package Inductance  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
1500  
2.5  
Typ.  
Max.  
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250A  
VDS = VGS, ID = 250A  
VGS = 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS = 0V  
V
V
5.0  
100 nA  
Applications  
IDSS  
25 A  
TJ = 125C  
250 A  
High Voltage Power Supplies  
Capacitor Discharge  
Pulse Circuits  
RDS(on)  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1  
3.5  
DS100233C(03/19)  
©2019 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  

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