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IXTT6N150

更新时间： 2024-11-05 12:31:19

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IXYS		二极管
页数	文件大小	规格书
5页	135K
描述
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode

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IXTT6N150 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

IXTT6N150 数据手册

High Voltage

Power MOSFETs

V_DSS= 1500V

I_D25= 6A

R_DS(on)≤ 3.5Ω

IXTT6N150

IXTH6N150

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-268 (IXTT)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

1500

D (Tab)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-247 (IXTH)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

E_AS

T_C= 25°C

500

D (Tab)

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

G = Gate

S = Source

= Drain

540

Tab = Drain

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting Torque (TO247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

International Standard Packages

Molding Epoxies Weet UL 94 V-0

Flammability Classification

Fast Intrinsic Diode

Weight

TO-268

TO-247

Low Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1500

3.0

Typ.

Max.

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

5.0

±100 nA

Applications

I_DSS

25 μA

T_J= 125°C

250 μA

High Voltage Power Supplies

Capacitor Discharge

Pulse Circuits

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

3.5

DS100233B(05/12)

12 3 4 5

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