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IXTT69N30P

更新时间： 2024-11-20 22:11:03

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5页	108K
描述
PolarHT Power MOSFET

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IXTT69N30P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	8.36
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	69 A
最大漏极电流 (ID)：	69 A	最大漏源导通电阻：	0.049 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTT69N30P 数据手册

IXTQ 69N30P

IXTT 69N30P

V_DSS

I_D25

= 300 V

= 69 A

PolarHT^TM

Power MOSFET

R_DS(on)= 49 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-3P(IXTQ)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

300

V_GSS

V_GSM

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

200

I_AR

T_C= 25°C

TO-268 (IXTT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C= 25°C

500

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^!International standard packages

^!Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

^!Low package inductance

- easy to drive and to protect

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

Advantages

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

Easy to mount

Space savings

High power density

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

300

2.5

5.0

±100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125°C

PolarHT^TMDMOStransistors

utilize proprietary designs and

process. US patent is pending.

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

49 mΩ

DS99078A(04/04)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH69N30P	IXYS	完全替代	Polar HiPerFET Power MOSFET
IXFT69N30P	IXYS	类似代替	Polar HiPerFET Power MOSFET

与IXTT69N30P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTT6N120-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT6N150	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode
IXTT6N150	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTT74N20P	IXYS	获取价格	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT74N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT75N10	IXYS	获取价格	MegaMOS FET
IXTT75N10L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT75N15	IXYS	获取价格	High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTT76P10THV	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱

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