5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTT500N04T2
IXTT500N04T2 PDF预览

IXTT500N04T2

更新时间： 2024-11-05 20:03:15
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 188K
描述
Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTT500N04T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-268AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：800 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：500 A最大漏极电流 (ID)：500 A
最大漏源导通电阻：0.0016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-268AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1000 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1250 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTT500N04T2 数据手册

 浏览型号IXTT500N04T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTT500N04T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTT500N04T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTT500N04T2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTT500N04T2的Datasheet PDF文件第6页 
Advance Technical Information  
TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 40V  
ID25 = 500A  
RDS(on) ≤ 1.6mΩ  
IXTH500N04T2  
IXTT500N04T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-247 (IXTH)  
Fast Intrinsic Diode  
G
D
D (Tab)  
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
40  
40  
V
V
VDGR  
TO-268 (IXTT)  
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit, RMS  
500  
160  
A
A
A
G
S
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
1250  
D (Tab)  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
800  
A
mJ  
W
EAS  
PD  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
1000  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +175  
z International Standard Packages  
z 175°C Operating Temperature  
z High Current Handling Capability  
z Avalanche Rated  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
z Fast Intrinsic Diode  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
z
Low RDS(on)  
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
40  
V
V
1.5  
3.5  
Applications  
±200 nA  
• Synchronous Buck Converters  
• High Current Switching Power  
Supplies  
IDSS  
10 μA  
TJ = 150°C  
VGS = 10V, ID = 100A, Notes 1 & 2  
750 μA  
RDS(on)  
1.6 mΩ  
• Battery Powered Electric Motors  
• Resonant-Mode Power Supplies  
• Electronics Ballast Application  
• Class D Audio Amplifiers  
DS100218(12/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

中文翻译

下载PDF

IXTT500N04T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTH500N04T2 IXYS

功能相似

 Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IXTT500N04T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTT50N30 IXYS

获取价格

 		Advance Technical Information High Current Power MOSFET
IXTT50P085 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTT50P10 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTT52N30P IXYS

获取价格

 		PolarHT Power MOSFET
IXTT52N30P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT60N10 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT60N10 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT60N20L2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTT60N25 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTT64N25P IXYS

获取价格

 		PolarHT Power MOSFET

与IXTT500N04T2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证