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IXTT500N04T2 PDF预览

IXTT500N04T2

更新时间： 2024-09-16 20:03:15
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 188K
描述
Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN

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IXTT500N04T2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-268AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.74其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：800 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：500 A最大漏极电流 (ID)：500 A
最大漏源导通电阻：0.0016 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-268AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1000 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：1250 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTT500N04T2 数据手册

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Advance Technical Information  
TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 40V  
ID25 = 500A  
RDS(on) ≤ 1.6mΩ  
IXTH500N04T2  
IXTT500N04T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-247 (IXTH)  
Fast Intrinsic Diode  
G
D
D (Tab)  
S
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
40  
40  
V
V
VDGR  
TO-268 (IXTT)  
VGSM  
Transient  
± 20  
V
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit, RMS  
500  
160  
A
A
A
G
S
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
1250  
D (Tab)  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
100  
800  
A
mJ  
W
EAS  
PD  
G = Gate  
D
= Drain  
S = Source  
Tab = Drain  
1000  
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
Features  
-55 ... +175  
z International Standard Packages  
z 175°C Operating Temperature  
z High Current Handling Capability  
z Avalanche Rated  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
z Fast Intrinsic Diode  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
z
Low RDS(on)  
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
40  
V
V
1.5  
3.5  
Applications  
±200 nA  
• Synchronous Buck Converters  
• High Current Switching Power  
Supplies  
IDSS  
10 μA  
TJ = 150°C  
VGS = 10V, ID = 100A, Notes 1 & 2  
750 μA  
RDS(on)  
1.6 mΩ  
• Battery Powered Electric Motors  
• Resonant-Mode Power Supplies  
• Electronics Ballast Application  
• Class D Audio Amplifiers  
DS100218(12/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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IXTT500N04T2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTH500N04T2 IXYS

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 Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

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