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IXTT74N20P

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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5页	175K
描述
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTT74N20P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	74 A	最大漏极电流 (ID)：	74 A
最大漏源导通电阻：	0.034 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	480 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT74N20P 数据手册

IXTQ 74N20P

IXTT 74N20P

V_DSS= 200 V

I_D25= 74

R_DS(on)≤ 34 mΩ

PolarHT^TM

Power MOSFET

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-3P (IXTQ)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 175° C

T_J= 25° C to 175° C; R_GS= 1 MΩ

200

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

I_D25

I_DM

T_C=25° C

(TAB)

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

200

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

TO-268 (IXTT)

1.0

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

480

G = Gate

D = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

-55 ... +150

°C

S = Source

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque

(TO-3P)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-3P

TO-268

5.5

5.0

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

200

Advantages

2.5

5.0

Easy to mount

Space savings

100

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

34 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99119E(12/05)

12 3 4 5

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IXTT74N20P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH74N20P	IXYS	完全替代	PolarHT HiPerFET Power MOSFET
IXTQ74N20P	IXYS	功能相似	PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTT74N20P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT75N10	IXYS	获取价格	MegaMOS FET
IXTT75N10L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT75N15	IXYS	获取价格	High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTT76P10THV	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTT80N20L	LITTELFUSE	获取价格	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是
IXTT82N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTT82N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT88N15	IXYS	获取价格	High Current Power MOSFET
IXTT88N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTT88N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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