5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IXTT440N055T2
IXTT440N055T2 PDF预览

IXTT440N055T2

更新时间： 2024-11-07 14:56:55
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
7页 214K
描述
这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能（Tc=@25oC）。 通过结合高电流额定值与紧凑的封装选择，这些尺寸更加小巧的器件能够控制更高的功率。

阅读下载

中文翻译

获取价格

IXTT440N055T2 技术参数

生命周期：Active包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.75
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

IXTT440N055T2 数据手册

 浏览型号IXTT440N055T2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IXTT440N055T2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IXTT440N055T2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IXTT440N055T2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IXTT440N055T2的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IXTT440N055T2的Datasheet PDF文件第7页 
Advance Technical Information  
TrenchT2TM  
Power MOSFET  
VDSS = 55V  
ID25 = 440A  
RDS(on) ≤ 1.8mΩ  
IXTH440N055T2  
IXTT440N055T2  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
Fast Intrinsic Diode  
TO-247 (IXTH)  
G
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
D
D (Tab)  
S
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
55  
55  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
± 20  
± 30  
V
V
TO-268 (IXTT)  
ID25  
ILRMS  
IDM  
TC = 25°C (Chip Capability)  
Lead Current Limit, RMS  
440  
160  
A
A
A
G
S
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
1200  
D (Tab)  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
200  
1.5  
A
J
EAS  
PD  
G = Gate  
S = Source  
D
= Drain  
Tab = Drain  
1000  
W
TJ  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
Features  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z International Standard Packages  
z 175°C Operating Temperature  
z High Current Handling Capability  
z Avalanche Rated  
Md  
Mounting Torque (TO-247)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-247  
TO-268  
6
4
g
g
z Fast Intrinsic Diode  
z
Low RDS(on)  
Advantages  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min.  
Typ.  
Max.  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 1mA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
55  
V
V
z
z
2.0  
4.0  
±200 nA  
Applications  
IDSS  
10 μA  
z
TJ = 150°C  
VGS = 10V, ID = 100A, Notes 1 & 2  
750 μA  
DC/DC Converters and Off-line UPS  
Primary- Side Switch  
High Current Switching Applications  
z
RDS(on)  
1.8 mΩ  
z
DS100220(12/09)  
© 2009 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
1234567

中文翻译

下载PDF

与IXTT440N055T2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTT44N25L2HV LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTT48P20P IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 200V, 0.085ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Me
IXTT48P20P LITTELFUSE

获取价格

 		Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTT4N150HV LITTELFUSE

获取价格

 		高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTT500N04T2 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 500A I(D), 40V, 0.0016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTT500N04T2 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTT50N30 IXYS

获取价格

 		Advance Technical Information High Current Power MOSFET
IXTT50P085 IXYS

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTT50P10 LITTELFUSE

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor,
IXTT52N30P IXYS

获取价格

 		PolarHT Power MOSFET

与IXTT440N055T2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证