Datasheet > IXTT50P085

IXTT50P085

更新时间： 2024-11-05 19:42:15

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	568K
描述
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTT50P085 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	其他特性：	AVALANCHE RATED
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	85 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.055 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT50P085 数据手册

IXTH 50P085

IXTT 50P085

Standard Power MOSFET

V_DSS= -85 V

I_D25= -50 A

R_DS(on)= 55 mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

-85

V_GS

Continuous

Transient

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

T_C= 25°C

-50

-200

-50

TO-268 (IXTT)

E_AR

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_JM

T_stg

G = Gate,

D=Drain,

TAB = Drain

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic Body for 10s

300

°C

S = Source,

250

°C

Features

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

• International standard packages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

Weight

TO-247

TO-268

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

• Low package inductance (<5 nH)

- easy to drive and to protect

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= -250 µA

-85

Applications

• High side switching

• Push-pull amplifiers

• DC choppers

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= -250 µA

-3.0

-5.0

100

-25

µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

I_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

• Automatic test equipment

-1 mA

R_DS(on)

V_GS= -10 V, I_D= 0.5 • I_D25

55 mΩ

Advantages

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

• High power density

DS99140B(02/05)

12 3 4

中文翻译

下载PDF

与IXTT50P085相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT50P10	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT52N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTT52N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT60N10	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT60N10	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT60N20L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT60N25	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTT64N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTT64N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT68P20T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱

与IXTT50P085相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTT50P085

IXTT50P085 技术参数

IXTT50P085 数据手册

与IXTT50P085相关器件

与IXTT50P085相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTT50P085

IXTT50P085 技术参数

IXTT50P085 数据手册

与IXTT50P085相关器件

与IXTT50P085相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？