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IXTT60N10 PDF预览

IXTT60N10

更新时间： 2024-09-16 20:10:35
品牌 Logo 应用领域
IXYS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 520K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXTT60N10 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-268AA
包装说明：TO-268, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.72雪崩能效等级（Eas）：1500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-268AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：320 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IXTT60N10 数据手册

 浏览型号IXTT60N10的Datasheet PDF文件第2页 
Advance Technical Information  
HiPerFETTM  
PowerMOSFETs  
IXTH 60N10  
IXTT 60N10  
VDSS  
ID25  
= 100 V  
= 60 A  
RDS(on) = 20 mΩ  
N-ChannelEnhancementMode  
Symbol Testconditions  
Maximum ratings  
TO-247AD(IXTH)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25°C to 150°C  
TJ = 25°C to 150°C; RGS = 1.0 MΩ  
100  
100  
V
V
(TAB)  
VGS  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
VGSM  
ID25  
ID(RMS)  
IDM  
T
= 25°C MOSFET chip capability  
80  
75  
320  
80  
A
ECxternal lead current limit  
A
A
A
TO-268 (IXTT) Case Style  
T
= 25°C, pulse width limited by TJM  
IAR  
TCC = 25°C  
EAR  
EAS  
T
= 25°C  
45  
mJ  
J
TCC = 25°C  
1.5  
G
(TAB)  
S
dv/dt  
IS ≤ IDM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS  
TJ ≤ 150°C, RG = 2 Ω  
5
V/ns  
G = Gate  
S = Source  
D = Drain  
TAB = Drain  
PD  
TJ  
TC = 25°C  
300  
W
-55 ... +150  
°C  
TJM  
Tstg  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
Features  
z
International standard packages  
Low RDS (on) HDMOSTM process  
Rugged polysilicon gate cell structure  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
Fast intrinsic Rectifier  
TL  
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10 s  
Mounting torque  
300  
1.13/10  
6
°C  
Nm/lb.in.  
g
z
z
z
Md  
Weight  
TO-264  
z
z
Symbol  
TestConditions  
Characteristic Values  
Advantages  
(TJ = 25°C, unless otherwise specified)  
Min. Typ.  
Max.  
VDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
VGS = 20 VDC, VDS = 0  
100  
V
V
z
Easy to mount  
Space savings  
High power density  
z
2.0  
4.0  
z
100  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
25  
250  
µA  
µA  
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
20 mΩ  
Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
DS99069(7/03)  
© 2003 IXYS All rights reserved  
12

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