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IXTT50N30

更新时间： 2024-11-05 12:52:39

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4页	587K
描述
Advance Technical Information High Current Power MOSFET

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IXTT50N30 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT50N30 数据手册

Advance Technical Information

IXTH 50N30

IXTT 50N30

V_DSS

I_D25

= 300 V

= 50 A

High Current

Power MOSFET

R_DS(on)= 65 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-247 (IXTH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

300

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

T_C= 25°C

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

200

TO-268 (IXTT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

D (TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

400

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque (TO-247)

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Weight

TO-247

TO-268

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= V_DSS

300

Easy to mount

Space savings

2.0

4.0

100

High power density

I_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

µA

_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

R_DS(on)

65 mΩ

DS99011A(08/03)

12 3 4

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IXTT50N30 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFH52N30P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET HiPerFET
IXTQ52N30P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET
IXTT52N30P	IXYS	功能相似	PolarHT Power MOSFET

与IXTT50N30相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT50P085	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 85V, 0.055ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTT50P10	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT52N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTT52N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT60N10	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT60N10	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT60N20L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT60N25	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 250V, 0.046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTT64N25P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTT64N25P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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