Datasheet > IXTT26N60P

IXTT26N60P

更新时间： 2024-11-05 15:44:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	236K
描述
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, TO-268, 3 PIN

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IXTT26N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.71
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	26 A
最大漏源导通电阻：	0.27 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	65 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT26N60P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTH26N60P

IXTQ26N60P

IXTT26N60P

IXTV26N60P

IXTV26N60PS

V_DSS= 600

I_D25= 26

R_DS(on)≤ 270 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

600

TO-3P (IXTQ)

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±30

±40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

D (TAB)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-268 (IXTT)

I_AR

T_C= 25°C

E_AR

E_AS

1.2

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/μs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 5 Ω

V/ns

PLUS220 (IXTV)

P_D

T_C= 25°C

460

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

PLUS220SMD (IXTV_S)

M_d

Mounting torque (TO-3P&TO-247)

Mounting force (PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

F_C

11..65/2.5..15

N/lb

Weight

TO-3P

TO-247

TO-268

PLUS220 & PLUS220SMD

5.5

6.0

5.0

4.0

D (TAB)

D = Drain

TAB = Drain

G = Gate

S = Source

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Features

^zFast Recovery diode

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= 250 μA

V_GS= ±30 V, V_DS= 0 V

600

^zUnclamped Inductive Switching (UIS)

3.0

5.0

rated

^zInternational standard packages

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

±100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

μA

T_J= 125°C

250

Advantages

Easy to mount

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

270 mΩ

Space savings

Pulse test, t ≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

High power density

DS99376E(12/06)

12 3 4 5

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IXTT26N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXFT26N60P	IXYS	类似代替	N-Channel Enhancement Mode Fast Recovery Diode Avalanche Rated
IXFQ28N60P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFETs
IXFH28N60P3	IXYS	功能相似	Polar3 HiperFET Power MOSFETs

与IXTT26N60P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT28N50Q	INFINEON	获取价格	Power MOSFETs Q-Class
IXTT2N170D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTT30N50L	LITTELFUSE	获取价格	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是
IXTT30N50L2	IXYS	获取价格	Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode
IXTT30N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT30N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT30N60L2	IXYS	获取价格	Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA
IXTT30N60L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT30N60P	IXYS	获取价格	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT30N60P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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