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力特 - LITTELFUSE | 转换器 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 643K | |
描述 | ||
P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V,并采用业内流行的TO-247和可表面贴装的TO-268封装。 这些产品是降压转换器以及需要接地的负载的理想选择。 它们可与对等的N |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTT26N50P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT26N50P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT26N60P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT26N60P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
IXTT28N50Q | INFINEON |
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Power MOSFETs Q-Class | |
IXTT2N170D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET,这些耗尽型器件在“常开”模式下运行,因此栅极引出线处需要的开启电 | |
IXTT30N50L | LITTELFUSE |
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当功率MOSFET用于线性模式工作时,相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力,这是 | |
IXTT30N50L2 | IXYS |
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Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode | |
IXTT30N50L2 | LITTELFUSE |
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这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用,具有低热阻、高功率密度和正 | |
IXTT30N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |