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IXTT30N50P

更新时间： 2024-11-06 14:56:47
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
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6页 403K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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PolarHVTM  
Power MOSFET  
VDSS = 500 V  
ID25 = 30 A  
RDS(on) ≤ 200 mΩ  
IXTH 30N50P  
IXTQ 30N50P  
IXTT 30N50P  
IXTV 30N50P  
IXTV 30N50PS  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-247 AD (IXTH)  
(TAB)  
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-3P (IXTQ)  
VDSS  
VDGR  
TJ = 25° C to 150° C  
500  
500  
V
TJ = 25° C to 150° C; RGS = 1 MΩ  
V
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
30  
40  
V
V
G
D
(TAB)  
ID25  
IDM  
TC =25° C  
TC = 25° C, pulse width limited by TJM  
30  
75  
A
A
S
TO-268 (IXTT)  
IAR  
EAR  
EAS  
TC =25° C  
TC =25° C  
TC =25° C  
30  
40  
1.2  
A
mJ  
J
G
S
dv/dt  
PD  
IS ≤IDM, di/dt ≤100 A/µs, VDD ≤VDSS  
TJ ≤150° C, RG = 5 Ω  
,
10  
V/ns  
(TAB)  
PLUS220 (IXTV)  
TC =25° C  
460  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +150  
150  
-55 ... +150  
°C  
°C  
°C  
G
D
S
(TAB)  
TL  
TSOLD  
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s  
Plastic body for 10 s  
300  
260  
°C  
°C  
PLUS220 SMD(IXTV..S)  
M
Mounting torque (TO-247, TO-3P)  
Mounting force (PLUS220, PLUS220SMD)  
1.13/10 Nm/lb.in.  
11 65/2.5 15 N/lb.  
FCd  
Weight  
PLUS220, PLUS220SMD  
4
5
5.5  
g
g
g
g
TO-268  
TO-3P  
TO-247  
G
S
(TAB)  
6
G = Gate  
D = Drain  
S = Source  
TAB = Drain  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25° C, unless otherwise specified)  
Min. Typ. Max.  
Features  
l
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0 V, ID = 250 µA  
VDS = VGS, ID = 250 µA  
VGS = 30 V, VDS = 0 V  
500  
V
International standard packages  
Unclamped Inductive Switching (UIS)  
rated  
l
3.0  
5.0  
100  
V
l
Low package inductance  
- easy to drive and to protect  
nA  
IDSS  
VDS = VDSS  
VGS = 0 V  
25  
250  
µA  
µA  
Advantages  
TJ = 125° C  
l
Easy to mount  
Space savings  
l
RDS(on)  
VGS = 10 V, ID = 0.5 ID25  
Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %  
165  
200  
mΩ  
l
High power density  
DS99415E(04/06)  
© 2006 IXYS All rights reserved  
123456

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与IXTT30N50P相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXTT30N60L2 IXYS

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 		Linear L2 Power MOSFET with extended FBSOA
IXTT30N60L2 LITTELFUSE

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IXTT30N60P IXYS

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 		PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT30N60P LITTELFUSE

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 		Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT360N055T2 IXYS

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 		Power Field-Effect Transistor, 360A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTT360N055T2 LITTELFUSE

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