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IXTT24P20

更新时间： 2024-11-05 14:51:43

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	576K
描述
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN

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IXTT24P20 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A	最大漏极电流 (ID)：	24 A
最大漏源导通电阻：	0.15 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	96 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT24P20 数据手册

IXTH 24P20

IXTT 24P20

V_DSS

I_D25

= - 200 V

= - 24 A

Standard Power MOSFET

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

R_DS(on)≤ 0.15 Ω

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

-200

V_GS

Continuous

Transient

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

I_AR

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_J

T_C= 25°C

-24

-96

-24

TO-268 (IXTT)

E_AR

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D (TAB)

T_JM

T_stg

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic Body for 10s

400

°C

G = Gate,

D=Drain,

S = Source,

TAB = Drain

250

°C

Features

M_d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

• International standard packages

• Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

• Rugged polysilicon gate cell structure

Weight

TO-247

TO-268

• Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Symbol

V_DSS

TestConditions

Characteristic Values

• Low package inductance (<5 nH)

- easy to drive and to protect

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

V_GS= 0 V, I_D= -250 µA

-200

-3.0

Applications

• High side switching

• Push-pull amplifiers

• DC choppers

V_GS(th)

I_GSS

V_DS= V_GS, I_D= -250 µA

-5.0

100

-25

µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

I_DSS

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T = 25°C

T_J^J= 125°C

• Automatic test equipment

-1 mA

R_DS(on)

V_GS= -10 V, I_D= 0.5 • I_D25

0.15

Ω

Advantages

• Easy to mount with 1 screw

(isolatedmountingscrewhole)

• Space savings

• High power density

DS98769G(02/05)

12 3 4 5

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTH24P20	IXYS	功能相似	Standard Power MOSFET

与IXTT24P20相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT26N50P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N50P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 500V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N60P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT26N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 600V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT28N50Q	INFINEON	获取价格	Power MOSFETs Q-Class
IXTT2N170D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTT30N50L	LITTELFUSE	获取价格	当功率MOSFET用于线性模式工作时，相对于传统的开关模式具有相当高的热应力和电应力，这是
IXTT30N50L2	IXYS	获取价格	Linear L2TM Power MOSFET with extended FBSOA N-Channel Enhancement Mode
IXTT30N50L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT30N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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