IXTT30N60P

更新时间： 2024-11-05 12:27:43

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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6页	357K
描述
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTT30N60P 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	TO-268, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.19
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	30 A
最大漏源导通电阻：	0.24 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTT30N60P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTH 30N60P

IXTQ 30N60P

IXTT 30N60P

IXTV 30N60P

IXTV 30N60PS

V_DSS= 600

I_D25= 30

R_DS(on)≤ 240 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-3P (IXTQ)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

540

TO-268 (IXTT)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

D (TAB)

PLUS220 (IXTV)

Mounting torque

Mounting force

(TO-3P, TO-247)

(PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

11..65/2.5..15

F_C^d

N/lb.

Weight

TO-247

TO-3P

PLUS220

6.0

5.5

4.0

5.0

TO-268

PLUS220 (IXTV...S)

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

D (TAB)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 30 V, V_DS= 0

600

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

3.0

5.0

100

Features

Fast Recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

International standard packages

Low package inductance

- easy to drive and to protect

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

240 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99251E(12/05)

12 3 4 5 6

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IXTT30N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTV30N60PS	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ30N60P	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH30N60P	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTT360N055T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 360A I(D), 55V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTT360N055T2	LITTELFUSE	获取价格	这些器件具有40V至170V的漏极 - 源极电压额定值，并可提供高达600安培的高电流性能
IXTT36N50P	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode
IXTT36N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTT38N30L2HV	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正
IXTT3N200P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTT40N50L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTT40N50L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IXTT40N50L2-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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