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IXTH30N60P

更新时间： 2024-11-18 12:27:43

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6页	357K
描述
PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTH30N60P 数据手册

PolarHV^TM

Power MOSFET

IXTH 30N60P

IXTQ 30N60P

IXTT 30N60P

IXTV 30N60P

IXTV 30N60PS

V_DSS= 600

I_D25= 30

R_DS(on)≤ 240 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-247 (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

600

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

TO-3P (IXTQ)

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

1.5

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

D (TAB)

T_C=25° C

540

TO-268 (IXTT)

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

D (TAB)

PLUS220 (IXTV)

Mounting torque

Mounting force

(TO-3P, TO-247)

(PLUS220)

1.13/10 Nm/lb.in.

11..65/2.5..15

F_C^d

N/lb.

Weight

TO-247

TO-3P

PLUS220

6.0

5.5

4.0

5.0

TO-268

PLUS220 (IXTV...S)

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

D (TAB)

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 30 V, V_DS= 0

600

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

3.0

5.0

100

Features

Fast Recovery diode

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

International standard packages

Low package inductance

- easy to drive and to protect

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

250

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

240 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99251E(12/05)

12 3 4 5 6

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IXTH30N60P 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTV30N60PS	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTT30N60P	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTQ30N60P	IXYS	完全替代	PolarHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH31N15MA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 31A I(D) \| TO-247(5)
IXTH31N15MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH31N20MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH31N20MB	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTH32N65X	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH32N65X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXTH32P20T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 200V, 0.13ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTH32P20T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH340N04T4	LITTELFUSE	获取价格	40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。它可提供27
IXTH34N65X2	LITTELFUSE	获取价格	这些新型器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有最低的导通电阻，以及低栅极电荷和卓越的

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