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IXTH3N100P

更新时间： 2024-11-21 12:27:43

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4页	155K
描述
Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTH3N100P 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.75	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	1000 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	4.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH3N100P 数据手册

Polar VHV^TM

Power MOSFET

IXTA3N100P

IXTH3N100P

IXTP3N100P

V_DSS= 1000V

I_D25

R_DS(on)

≤

4.8Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

(TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

1000

TO-220 (IXTP)

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

(TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

I_A

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

200

TO-247 (IXTH)

dV/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

125

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062) from case for 10s

Plastic body for 10s

300

260

°C

Features

M_d

Mounting torque

(TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

^zInternational standard packages

^zUnclamped Inductive Switching

(UIS) rated

^zLow package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Easy to mount

Space savings

High power density

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

1000

2.5

4.5

±50 nA

μA

Applications:

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0V

^zSwitched-mode and resonant-mode

power supplies

T_J= 125°C

250 μA

^zDC-DC Converters

^zLaser Drivers

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

4.8 Ω

^zAC and DC motor controls

^zRobotics and servo controls

DS99767(08/07)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP3N100P	IXYS	类似代替	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTA3N100P	IXYS	功能相似	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH3N120	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
IXTH3N120	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTH3N150	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 1500V, 7.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IXTH3N150	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH3N200P3HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXTH3N200P3HV	LITTELFUSE	获取价格	Polar3?标准功率MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路
IXTH40N25	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
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IXTH40N50L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 500V, 0.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
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