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IXTH41N25

更新时间： 2024-01-12 18:46:23

品牌	Logo	应用领域
IXYS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	559K
描述
Power Field-Effect Transistor, 41A I(D), 250V, 0.072ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IXTH41N25 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.76	雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (ID)：	41 A
最大漏源导通电阻：	0.072 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	164 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH41N25 数据手册

IXTH 41N25

V_DSS= 250 V

Standard

Power MOSFET

I_D(cont)= 41 A

R_DS(on)= 72 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Preliminary Data Sheet

Symbol Testconditions

Maximum ratings

TO-247 AD

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1.0 MΩ

250

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

D (TAB)

I_D25

I_DM

I_AR

= 25°C MOSFET chip capability

164

T^C_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

G = Gate

S = Source

= Drain

E_AR

E_AS

= 25°C

1.0

T^C_C= 25°C

Tab = Drain

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_J

T_C= 25°C

300

-55 ... +150

°C

Features

T_JM

T_stg

150

°C

•Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

•Rugged polysilicon gate cell structure

•International standard package

JEDEC TO-247 AD

-55 ... +150

M_d

Mounting torque

TO-264

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

•Fast switching times

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

•High commutating dv/dt rating

Applications

•Motor controls

•DC choppers

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

•Switched-mode and resonant-mode

power supplies

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

•Uninterruptible Power Supplies (UPS)

V_DSS

V_GS= 0 V, I = 250 µA

V_DS= V_GS, I_D^D= 250 µA

250

2.0

V_GS(th)

4.0

Advantages

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

±100 nA

•Easy to mount with one screw

(isolated mounting screw hole)

•Space savings

V_DS= V

25 µA

250 µA

V_GS= 0 ^DV^SS

T_J= 125°C

•High power density

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I = 15A

72 mΩ

Pulse test, t ≤^D300 ms, duty cycle d ≤ 2%

DS98954B(08/03)

12 3 4

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