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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 188K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.75 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTH50N15 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
IXTH50N20 | IXYS |
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MegaMOS FET | |
IXTH50N20 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统,包括高压电源、电容放电电路、脉 | |
IXTH50N25T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTH50N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTH50N30 | IXYS |
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Advance Technical Information High Current Power MOSFET | |
IXTH50N30L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTH50P085 | IXYS |
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Standard Power MOSFET | |
IXTH50P10 | IXYS |
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Standard Power MOSFET | |
IXTH50P10 | LITTELFUSE |
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P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V,并采用业内流行的TO-2 |