IXTH50N30

更新时间： 2024-09-27 12:02:23

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IXYS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
Advance Technical Information High Current Power MOSFET

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IXTH50N30 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-247AD	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	1500 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	200 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH50N30 数据手册

Advance Technical Information

IXTH 50N30

IXTT 50N30

V_DSS

I_D25

= 300 V

= 50 A

High Current

Power MOSFET

R_DS(on)= 65 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

TO-247 (IXTH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

= 25°C to 150°C

300

T^J_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

(TAB)

I_D25

T_C= 25°C

I_DM

I_AR

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

T_C= 25°C

200

TO-268 (IXTT)

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

1.5

D (TAB)

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 2 Ω

V/ns

P_D

T_C= 25°C

400

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

T_L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Mounting torque (TO-247)

300

°C

Features

M_d

1.13/10 Nm/lb.in.

International standard packages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Weight

TO-247

TO-268

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Advantages

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

V_DS= V_DSS

300

Easy to mount

Space savings

2.0

4.0

100

High power density

I_DSS

T_J= 25°C

T_J= 125°C

250

µA

_GS= 0 V

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

R_DS(on)

65 mΩ

DS99011A(08/03)

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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IXFH52N30P	IXYS	类似代替	PolarHT Power MOSFET HiPerFET
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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTH52N65X	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
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