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IXTH68N20

更新时间： 2024-02-09 03:30:37

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High Current MegaMOSFET

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IXTH68N20 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	68 A	最大漏极电流 (ID)：	68 A
最大漏源导通电阻：	0.035 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	300 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	272 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTH68N20 数据手册

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

High Current

MegaMOS^TMFET

IXTK 74 N20

IXTH 68 N20

200V 74 A 35 mW

200V 68 A 35 mW

N-Channel Enhancement Mode

Preliminary data

Symbol Test conditions

Maximum ratings

TO-247AD (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

200

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1.0 MΩ

D (TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

74N20

68N20

TO-264 AA (IXTK)

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

74N20

68N20

296

272

P_D

T_C= 25°C

74N20

68N20

416

300

D (TAB)

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate

S = Source

= Drain

-55 ... +150

Tab = Drain

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-264

TO-247

Features

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

International standard package

Fast switching times

Max lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

Symbol Test Conditions

Characteristic Values

Applications

(T_J= 25°C unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Motor controls

DC choppers

Uninterruptable Power Supplies (UPS)

Switch-mode and resonant-mode

V_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 5 mA

V_DS= V_GS, I_D= 4 mA

V_GS= ±20 V DC, V_DS= 0

200

2.0

4.0

±100

Advantages

I_DSS

V_DS= 0.8 V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

500

µA

Easy to mount with one screw

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 ms, duty cycle d ≤ 2%

35 mΩ

High power density

95512C(12/97)

IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.

C2 - 14

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