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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 68 A | 最大漏极电流 (ID)： | 68 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.035 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247AD | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 272 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTH68P20T | LITTELFUSE |
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Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱 |
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| IXTH6N100D2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTH6N100D2 | IXYS |
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Preliminary Technical Information Depletion Mode MOSFET |
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| IXTH6N120 | IXYS |
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High Voltage Power MOSFET |
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| IXTH6N150 | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1500V, 0.0035ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| IXTH6N150 | LITTELFUSE |
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高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉 |
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| IXTH6N50D2 | IXYS |
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Depletion Mode MOSFET |
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| IXTH6N50D2 | LITTELFUSE |
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不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电 |
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| IXTH6N60 | IXYS |
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Transistor |
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| IXTH6N80 | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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