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IXTH75N10

更新时间： 2024-11-17 22:11:03

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4页	114K
描述
MegaMOSFET

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IXTH75N10 数据手册

MegaMOS^TMFET

V_DSS

I_D25R_DS(on)

IXTH / IXTM 67N10

IXTH / IXTM 75N10

100V 67 A 25 mΩ

100V 75 A 20 mΩ

N-ChannelEnhancementMode

Symbol

Test Conditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXTH)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

100

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

D(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

V_GSM

I_D25

T_C= 25°C

67N10

75N10

TO-204 AE (IXTM)

I_DM

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

67N10

75N10

268

300

P_D

T_C= 25°C

300

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

-55 ... +150

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

TO-204 = 18 g, TO-247 = 6 g

300 °C

Weight

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Features

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Symbol

Test Conditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Motorcontrols

UninterruptiblePowerSupplies(UPS)

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

100

V_GS(th)

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

200 µA

V_DS= 0.8 • V_DSS

V_GS= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

Advantages

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

67N10

75N10

0.025

0.020

Ω

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Highpowerdensity

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

91533E(5/96)

1 - 4

12 3 4

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IXTH75N10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
STW120NF10	STMICROELECTRONICS	功能相似	N-channel 100V - 0.009OHM - 110A - TO-247 - TO-220 - D2PAK STripFET2 Power MOSFET
HUF75652G3	FAIRCHILD	功能相似	75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET
HUF75639G3	FAIRCHILD	功能相似	56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

与IXTH75N10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH75N10L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH75N15	IXYS	获取价格	High Current Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTH76N25T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTH76N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(ON)极低，因此确保了非常低
IXTH76P10T	IXYS	获取价格	TrenchP Power MOSFETs
IXTH76P10T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTH7P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 7A I(D) \| TO-218VAR
IXTH7P50	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH80N075L2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH80N075L2	LITTELFUSE	获取价格	这些独特的器件专为需要功率MOSFET以在电流饱和区工作的应用，具有低热阻、高功率密度和正

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