Datasheet > IXTH88N30P

IXTH88N30P

更新时间： 2024-10-03 14:56:55

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	390K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTH88N30P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	2000 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	300 V	最大漏极电流 (ID)：	88 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-247AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IXTH88N30P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTH 88N30P

IXTK 88N30P

IXTQ 88N30P

IXTT 88N30P

V_DSS

I_D25

R_DS(on)

= 300 V

= 88 A

≤ 40 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-247 (IXTH)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

D (TAB)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

300

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

TO-264 (IXTK)

V_GSM

I_D25

T_C=25° C

I_D(RMS)

I_DM

External lead current limit

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

220

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

D (TAB)

2.0

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 4 Ω

V/ns

T_C=25° C

600

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

TO-268 (IXTT)

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-247

TO-264

TO-3P & TO-268

6.0

5.5

D (TAB)

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

Features

International standard package

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

300

2.5

5.0

Low package inductance

- easy to drive and to protect

100

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

100

µA

Advantages

T_J= 125° C

Easy to mount

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

40 mΩ

High power density

DS99129E(12/05)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTH88N30P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTH8P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-218VAR
IXTH8P50	IXYS	获取价格	Standard Power MOSFET P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTH8P50	LITTELFUSE	获取价格	P通道标准功率MOSFET的额定电压范围为-100V至-600V，并采用业内流行的TO-2
IXTH90N15T	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTH90N20X3	LITTELFUSE	获取价格	超级结MOSFET采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，可提供出类拔萃的质量因数（导通电阻乘
IXTH90P10P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTH94N20X4	LITTELFUSE	获取价格	新型200V X4超级结MOSFET采用最新的超级结技术设计，适用于高效电源应用。其采用
IXTH96N20P	IXYS	获取价格	N-Channel Engancement Mode
IXTH96N20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTH96N25T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低

与IXTH88N30P相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

29
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH88N30P

IXTH88N30P 技术参数

IXTH88N30P 数据手册

与IXTH88N30P相关器件

与IXTH88N30P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTH88N30P

IXTH88N30P 技术参数

IXTH88N30P 数据手册

与IXTH88N30P相关器件

与IXTH88N30P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？