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IXTH90P10P

更新时间： 2024-02-09 21:11:05

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力特 - LITTELFUSE		/
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6页	134K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTH90P10P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	4.9	JESD-609代码：	e1
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	Base Number Matches：	1

IXTH90P10P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFETs

V_DSS= - 100V

I_D25= - 90A

IXTT90P10P

IXTH90P10P

R_DS(on)

≤

25mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-268 (IXTT)

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

-100

TO-247 (IXTH)

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 90

- 225

D (Tab)

I_A

T_C= 25°C

- 90

2.5

E_AS

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

462

T_J

T_JM

T_stg

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

Features:

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

M_d

Mounting Torque (TO-247)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-268

TO-247

^zFast Intrinsic Diode

^zRugged PolarP^TMProcess

^zLow Package Inductance

Advantages

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

-100

- 2.0

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 4.0

Applications

±100 nA

High-Side Switches

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

I_DSS

- 25 μA

- 200 μA

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

25 mΩ

Current Regulators

DS99986B(01/13)

12 3 4 5 6

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