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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TO-247 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.33 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 56 A | 最大漏极电流 (ID)： | 56 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 200 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Powers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IXFH80N10Q | IXYS |
功能相似  |
HiPerFET Power MOSFETs Q-Class |
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| IXFH75N10 | IXYS |
功能相似 |
HiPerFET Power MOSFETs |
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| IXTH75N10 | IXYS |
功能相似 |
MegaMOSFET |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HUF75639G3_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
暂无描述 |
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| HUF75639P3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75639P3 | INTERSIL |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75639P3 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，56A，25mΩ |
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| HUF75639P3 | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| HUF75639P3_NL | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| HUF75639P3_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| HUF75639P3-F102 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，56A，25mΩ |
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| HUF75639S3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75639S3 | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA |
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