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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.13 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 56 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.025 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | NOT SPECIFIED |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HUF75639S3S_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| HUF75639S3ST | FAIRCHILD |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75639S3ST | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| HUF75639S3ST | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET 功率 MOSFET，100V，56A，25mΩ |
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| HUF75639S3ST_NL | ROCHESTER |
获取价格 |
56A, 100V, 0.025ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB |
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| HUF75639S3ST_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 56A I(D), 100V, 0.025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| HUF75645P3 | FAIRCHILD |
获取价格 |
75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75645P3 | INTERSIL |
获取价格 |
75A, 100V, 0.014 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETs |
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| HUF75645P3 | ROCHESTER |
获取价格 |
75A, 100V, 0.014ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
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| HUF75645P3 | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，UltraFET Power MOSFET，100V，75A，14mΩ |
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