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HUF75652G3

更新时间： 2024-11-09 22:48:27
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL /
页数 文件大小 规格书
9页 346K
描述
75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFET

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HUF75652G3 数据手册

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HUF75652G3  
Data Sheet  
October 1999  
File Number 4746.1  
75A, 100V, 0.008 Ohm, N-Channel  
UltraFET Power MOSFET  
Packaging  
Features  
JEDEC TO-247  
• Ultra Low On-Resistance  
- r = 0.008Ω, VGS = 10V  
SOURCE  
DRAIN  
DS(ON)  
• Simulation Models  
GATE  
®
©
- Temperature Compensated PSPICE and SABER  
Electrical Models  
©
- Spice and SABER Thermal Impedance Models  
- www.semi.Intersil.com  
• Peak Current vs Pulse Width Curve  
• UIS Rating Curve  
DRAIN  
(TAB)  
HUF75652G3  
Ordering Information  
Symbol  
PART NUMBER  
PACKAGE  
TO-247  
BRAND  
75652G  
D
HUF75652G3  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
G
S
o
Absolute Maximum Ratings  
T = 25 C, Unless Otherwise Specified  
C
HUF75652G3  
UNITS  
Drain to Source Voltage (Note 1). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
100  
100  
20  
V
V
V
DSS  
Drain to Gate Voltage (R  
GS  
= 20kΩ) (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
DGR  
Gate to Source Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V  
GS  
Drain Current  
o
Continuous (T = 25 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
75  
75  
A
A
C
GS  
D
D
o
Continuous (T = 100 C, V  
= 10V) (Figure 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . I  
C
GS  
Pulsed Drain Current . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .I  
Figure 4  
DM  
Pulsed Avalanche Rating . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .UIS  
Figures 6, 17, 18  
Power Dissipation (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . P  
Derate Above 25 C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .  
515  
3.44  
W
W/ C  
D
o
o
o
Operating and Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T , T  
J
-55 to 175  
C
STG  
Maximum Temperature for Soldering  
Leads at 0.063in (1.6mm) from Case for 10s. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .T  
Package Body for 10s, See Techbrief TB334. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . T  
o
300  
260  
C
C
L
o
pkg  
NOTES:  
1. T = 25 C to 150 C.  
o
o
J
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the  
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge. Follow proper ESD Handling Procedures.  
1
UltraFET™ is a trademark of Intersil Corporation. PSPICE® is a registered trademark of MicroSim Corporation.  
©
SABER is a Copyright of Analogy Inc. 1-888-INTERSIL or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999.  
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